| Název: | Direct growth of graphene on SiO2/Si substrate |
| Autoři: | Macháč, Petr Valentová, T. Bláhová, V. |
| Citace zdrojového dokumentu: | Electroscope. 2016, č. 1. |
| Datum vydání: | 2016 |
| Nakladatel: | Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2016/Cislo1_2016/r10c1c8.pdf http://hdl.handle.net/11025/17672 |
| ISSN: | 1802-4564 |
| Klíčová slova: | grafen;bezpřenosová metoda;žíhání |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | graphene;transfer-free method;annealing |
| Abstrakt: | Práce je zaměřena na přípravu grafenu s využitím tzv. bezpřenosové metody, která vychází ze struktury kov/C/SiO2/Si. Tenké vrstvy niklu či kobaltu byly použity jako kov.Článek se zabývá optimalizací tloušťky kovů a žíhacího procesu (teploty a doby žíhání)s cílem připravit grafen s co nejlepšími parametry. Úspěšně se nám podařilo připravit dvouvrstvý grafen. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | This work is focused on graphene preparation using the transfer-free method from a metal/C/SiO2/Si structure. We used nickel and cobalt as the metal layer. The technological process of graphene preparation is based on an optimization of metal thickness and annealing parameters(temperature and duration). We successfully prepared bi-layer graphene. |
| Práva: | Copyright © 2015 Electroscope. All Rights Reserved. |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Číslo 1 (2016) Číslo 1 (2016) |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Popis | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|---|
| r10c1c8.pdf | Plný text | 273,32 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/17672Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.