Název: Graphene growth by chemical vapor deposition process on copper foil
Autoři: Macháč, P.
Bláhová, V.
Citace zdrojového dokumentu: Electroscope. 2016, č. 3.
Datum vydání: 2016
Nakladatel: Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická
Typ dokumentu: článek
article
URI: http://hdl.handle.net/11025/22031
ISSN: 1802-4564
Klíčová slova: grafen;chemická depozice;graphene;chemical deposition
Abstrakt: Příspěvek popisuje přípravu a charakterizaci grafenových filmů připravených metodou chemické depozice z plynného prostředí. Je použit reaktor se studeným pláštěm, jako zdroj uhlíku je použit metan. Grafen je vytvořen na měděné fólii při teplotě cca 1000°C. Druhým krokem přípravy je přenos grafenu na dielektrický substrát s využitím polymethylmethakrylátu. Nejlepší připravené grafenové filmy vykazují tloušťku v rozmezí jedné až dvou uhlíkových nanovrstev.
Práva: Copyright © 2015 Electroscope. All Rights Reserved.
Vyskytuje se v kolekcích:Číslo 3 (2016) - IMAPS flash Conference 2016
Číslo 3 (2016) - IMAPS flash Conference 2016

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
Machac.pdfPlný text512,79 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/22031

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.