Title: Bixbyite-Ta2N2O film prepared by HiPIMS and postdeposition annealing: Structure and properties
Other Titles: Vrstvy Ta2N2O se strukturou bixbyite připravené pomocí HiPIMS a následného žíhání: struktura a vlastnosti
Authors: Čapek, Jiří
Batková, Šárka
Matas, Martin
Kos, Šimon
Kozák, Tomáš
Haviar, Stanislav
Houška, Jiří
Schusser, Jakub
Minár, Jan
Dvořák, Filip
Zeman, Petr
Citation: ČAPEK, J. ., BATKOVÁ, Š. ., MATAS, M. ., KOS, Š. ., KOZÁK, T. ., HAVIAR, S. ., HOUŠKA, J. ., SCHUSSER, J. ., MINÁR, J. ., DVOŘÁK, F. ., ZEMAN, P. . Bixbyite-Ta2N2O film prepared by HiPIMS and postdeposition annealing: Structure and properties. Journal of Vacuum Science and Technology A, 2020, roč. 38, č. 3, s. „033409-1“-„033409-10“. ISSN 0734-2101.
Issue Date: 2020
Publisher: AIP Publishing
Document type: článek
article
URI: 2-s2.0-85084056413
http://hdl.handle.net/11025/36963
ISSN: 0734-2101
Keywords: Vrstvy Ta2N2O se strukturou typu bixbyite;HiPIMS;žíhání;výpočty ab initio;fotokatalytický rozklad vody
Keywords in different language: Bixbyite-Ta2N2O films;HiPIMS;annealing;ab initio calculations;photocatalytic water splitting
Abstract: High-power impulse magnetron sputtering of a Ta target in precisely controlled Ar+O2+N2 gas mixtures was used to prepare amorphous N-rich tantalum oxynitride (Ta–O–N) films with a finely varied elemental composition. Postdeposition annealing of the films at 900 °C for 5 min in vacuum led to their crystallization without any significant change in the elemental composition. The authors show that this approach allows preparation of a Ta–O–N film with a dominant Ta2N2O phase of the bixbyite structure. As far as the authors know, this phase has been neither experimentally nor theoretically reported yet. The film exhibits semiconducting properties characterized by two electrical (indirect or selection-rule forbidden) bandgaps of about 0.2 and 1.0 eV and one optical (direct and selection-rule allowed) bandgap of 2.0 eV (suitable for visible-light absorption up to 620 nm). This observation is in good agreement with the carried out ab initio calculations and the experimental data obtained by soft and hard X-ray photoelectron spectroscopy. Furthermore, the optical bandgap is appropriately positioned with respect to the redox potentials for water splitting, which makes this material an interesting candidate for this application.
Vysokovýkonové pulzní magnetronové rozprašování Ta terče v přesně kontrolovaných směsích Ar+O2+N2 bylo použito k přípravě amorfních vrstev oxynitridů tantalu (Ta–O–N) bohatých na N s jemně řízeným prvkovým složením. Následné žíhání vrstev při teplotě 900 °C po dobu 5 min ve vakuu vedlo k jejich krystalizaci při zachování jejich prvkového složení. Autoři ukazují, že tento přístup umožňuje přípravu vrstev Ta–O–N s dominantní fází Ta2N2O se strukturou typu bixbyite. Pokud víme, tato fáze nebyla doposud experimentálně prokázána ani teoreticky předpovězena. Vrstva vykazuje polovodičové vlastnosti, které jsou charakterizovány pomocí dvou elektrických zakázaných pásů o hodnotách 0,2 a 1,0 eV a jednoho optického zakázaného pásu o hodnotě 2,0 eV (vhodný pro absorpci viditelného světla o vlnové délce až 620 nm). Toto pozorování je v dobrém souladu s provedenými výpočty ab initio a experimentálními daty získanými pomocí metody fotoelektronové spektroskopie. Navíc pozice optického zakázaného pásu je vhodná vzhledem k redoxním potenciálům pro rozklad vody, což tento materiál dělá vhodným kandidátem pro tuto aplikaci.
Rights: Plný text není přístupný.
© AIP Publishing
Appears in Collections:Články / Articles (NTIS)
Články / Articles (KFY)
OBD

Files in This Item:
File SizeFormat 
OBD20_Capek,Batkova,Matas_clanek.pdf2,46 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy


Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11025/36963

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

search
navigation
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. OBD