| Název: | Maximum achievable N content in atom-by-atom growth of amorphous Si‒C‒N |
| Další názvy: | Maximální dosažitelný obsah dusíku při růstu amorfního Si‒C‒N atom po atomu |
| Autoři: | Houška, Jiří |
| Citace zdrojového dokumentu: | HOUŠKA, J. Maximum achievable N content in atom-by-atom growth of amorphous Si‒C‒N. ACS Applied Materials and Interfaces, 2020, roč. 12, č. 37, s. 41666-41673. ISSN 1944-8244. |
| Datum vydání: | 2020 |
| Nakladatel: | American Chemical Society |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | 2-s2.0-85091191944 http://hdl.handle.net/11025/42277 |
| ISSN: | 1944-8244 |
| Klíčová slova: | obsah N;vznik N2;Si‒C‒N, C3N4;Si3N4;CNx;ab-initio;molekulární dynamika |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | N content;N2 formation;Si‒C‒N;C3N4, Si3N4;CNx;ab-initio;molecular dynamics |
| Abstrakt: | Maximální dosažitelný obsah N v Si‒C‒N je studován pomocí kombinace simulací využívajících ab-initio molekulární dynamiku v širokém rozsahu složení a hustot s experimentálními daty. Hustoty vedoucí na nejhlubší energetická minima jsou v souladu s experimentem právě tehdy, když simulační algoritmus umožňuje formování a přítomnost molekul N2. Molekulám N2 nevázaným k amorfní síti je věnována hlavní pozornost s cílem předpovědět a vysvětlit maximální obsah N vázaného v amorfních sítích. Existují významné rozdíly mezi jednotlivými složeními, od žádného N2 při optimální hustotě Si3N4 (57 at.% vázaného N) až po mnoho N2 při optimální hustotě a-C3N4 (42 at.% vázaného N). Teoretická předpověď je v souladu s experimentálními výsledky reaktivního magnetronového naprašování při různých složeních rozprašovaného terče Si + C a různých parciálních tlacích N2. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | The maximum achievable N content in Si‒C‒N is examined by combining ab-initio molecular dynamics simulations in a wide range of compositions and densities with experimental data. When and only when the simulation algorithm allows the formation and final presence of N2 molecules, the densities leading to the deepest local energy minima are in agreement with the experiment. The main attention is paid to unbonded N2 molecules, with the aim to predict and explain the maximum content of N bonded in the amorphous networks. There are significant differences resulting from different compositions, ranging from no N2 at the lowest-energy density of a Si3N4 (57 at.% of bonded N) to many N2 at the lowest-energy density of a-C3N4 (42 at.% of bonded N). The theoretical prediction is in agreement with experimental results of reactive magnetron sputtering at varied Si + C sputter target composition and N2 partial pressure. |
| Práva: | Plný text není přístupný. © American Chemical Society |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Články / Articles (NTIS) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| OBD20_Houska_clanek.pdf | 1,43 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/42277Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.