| Název: | Finding multiple DC operating points of MOS circuits fabricated in submicrometer technology |
| Autoři: | Tadeusiewicz, Michał Ossowski, Marek |
| Citace zdrojového dokumentu: | ISTET 2013: International Symposiumon Theoretical Electrical Engineering: 24th – 26th June 2013: Pilsen, Czech Republic, p. II-9-II-10. |
| Datum vydání: | 2013 |
| Nakladatel: | University of West Bohemia |
| Typ dokumentu: | konferenční příspěvek conferenceObject |
| URI: | http://hdl.handle.net/11025/11475 |
| ISBN: | 978-80-261-0246-5 |
| Klíčová slova: | analogové obvody;diagnostika poruch;MOS tranzistory;homotopie |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | analog circuits;faulty diagnosis;MOS transistors;homotopy |
| Abstrakt: | The paper is focused on the analysis of circuits containing MOS transistors fabricated in submicrometer technology, having multiple DC operating points. The transistors are characterized by intricate models BSIM 3 and BSIM 4. To find the operating points an algorithm is proposed, based on the homotopy concept and the simplicial method. The algorithm is capable of finding multiple DC operating points but it does not guarantee finding all of them. For illustration a numerical example is given. |
| Práva: | © University of West Bohemia |
| Vyskytuje se v kolekcích: | ISTET 2013 ISTET 2013 ISTET 2013 |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Popis | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|---|
| Tadeusiewicz.pdf | Plný text | 96,73 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/11475Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.