Název: | Příprava a studium oxidů křemíku s řízenými vlastnostmi pro fotovoltaiku a fotoniku |
Další názvy: | Preparation and study of silicon oxides with controlled properties for Photovoltaics and Photonics |
Autoři: | Ponertová, Adriana |
Vedoucí práce/školitel: | Calta, Pavel |
Oponent: | Říha, Jan |
Datum vydání: | 2014 |
Nakladatel: | Západočeská univerzita v Plzni |
Typ dokumentu: | diplomová práce |
URI: | http://hdl.handle.net/11025/14948 |
Klíčová slova: | fotovoltaika;tenká vrstva;oxid křemíku;PECVD;optické a strukturní vlastnosti;XRD spektroskopie;infračervená spektroskopie;Ramanova spektroskopie;UV-Vis spektroskopie;elipsometrie |
Klíčová slova v dalším jazyce: | photovoltaic;thin film;sillicon oxide;PECVD;optical and structural properties;XRD spektroscopy;infrared spectroscopy;Raman spectroscopy;UV-Vis spectroscopy;ellipsometry |
Abstrakt: | Předkládaná diplomová práce je zaměřena na přípravu tenkých vrstev oxidu křemíku deponovaných metodou PECVD s využitím rf výboje (13,56 MHz). Vrstvy byly připraveny za nízké teploty (250 °C) na substráty ze skla Corning Eagle, měděné substráty a křemíkové wafery <100>. Odlišnosti nadeponovaných tenkých vrstev bylo dosaženo změnou průtoků plynných prekurzorů R = [N2O]/[SiH4]. Byl studován účinek R a vliv následného žíhání vzorků ve vzduchu do teploty 1100 °C, na chemické složení vzorků (analýza EDS), na mikrostrukturu vzorků (analýza XRD), na konfiguraci chemické vazby (FT-IR a Ramanova spektroskopie) a na optické vlastnosti připravených vrstev (UV-Vis spektroskopie a elipsometrie). Výsledky získané měřením jsou prezentovány, analyzovány a diskutovány. V závěru práce jsou výsledky zhodnoceny a je uvedeno potenciální využití pro FV aplikace. |
Abstrakt v dalším jazyce: | The master thesis is focused on preparation of a-SiOx thin films prepared by a rf (13,56 MHz) plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). Films were deposited at low temperature (250 °C) on different substrates from Corning glass, Cu plates and Si wafers <100>. Differences of as-deposited thin films were obtained by varying the gas flow ratio R = [N2O]/[SiH4]. The effects of gas flow ratio R and effects of the post-deposition thermal annealing in air up to 1100 °C to the compositional (by EDS), microstructural (by XRD), chemical bonding configuration (by FT-IR and Raman microscope) and to the optical properties (by UV-Vis spectrophotometer and by spectroscopic ellipsometry) were studied. Results from measuring are presented, analyzed and discussed. Results are evaluated at the end of thesis and conclusions for potential application in photovoltaic as well. |
Práva: | Plný text práce je přístupný bez omezení. |
Vyskytuje se v kolekcích: | Diplomové práce / Theses (KEE) |
Soubory připojené k záznamu:
Soubor | Popis | Velikost | Formát | |
---|---|---|---|---|
DP_Adriana_Ponertova.pdf | Plný text práce | 4,05 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
058737_vedouci.pdf | Posudek vedoucího práce | 403,97 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
058737_oponent.pdf | Posudek oponenta práce | 472,47 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
058737_hodnoceni.pdf | Průběh obhajoby práce | 222,72 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/14948
Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.