Název: Mapováni spinů povrchových a bulkových Rashba stavů v tenkých vrstvách feroelektrického α-GeTe(111)
Spin mapping of surface and bulk Rashba states in ferroelectric A-Gete (111) films
Autoři: Elmers, Hans Joachim
Wallauer, Robert
Liebmann, Marcus
Kellner, Jens
Morgenstern, Markus
Wang, Ruining
Boschker, Jos E.
Calarco, Raffaella
Sánchez-Barriga, Jaime
Rader, Oliver
Kutnyakhov, Dmytro
Chernov, Sergey V.
Medjanik, Katerina
Tusche, Christian
Ellguth, Martin
Volfová, H.
Borek, St.
Braun, Jürgen W.
Minár, Jan
Ebert, Hubert
Schönhense, Gerd
Citace zdrojového dokumentu: Physical review B, 2016, roč. 94, č. 20, s. 201403. ISSN 2469-9950.
Datum vydání: 2016
Nakladatel: American Physical Society
Typ dokumentu: článek
article
URI: http://hdl.handle.net/11025/25696
https://www.scopus.com/record/display.uri?origin=resultslist&eid=2-s2.0-84994681061
ISSN: 2469-9950
Klíčová slova: Rashba efekt;fotoemise;DFT
Klíčová slova v dalším jazyce: Rashba efect;photoemission;DFT
Abstrakt: Rozbíjení inverzní symetrie ve fereeleRashba efekt; Fotoemisse; DFTktrickém polovodiči způsobuje děleni stavů, tzv Rashba efekt. V tomto článku ukazujeme kompletně mapování spinové polarizace těchto Rashba stavů za pomoci spinovo rozlišené fotoemisse.
Abstrakt v dalším jazyce: The breaking of bulk inversion symmetry in ferroelectric semiconductors causes a Rashba-type spin splitting of electronic bulk bands. This is shown by a comprehensive mapping of the spin polarization of the electronic bands in ferroelectric α- GeTe(111) films using a time-of-flight momentum microscope equipped with an imaging spin filter that enables a simultaneous measurement of more than 10 000 data points. The experiment reveals an opposite spin helicity of the inner and outer Rashba bands with a different spin polarization in agreement with theoretical predictions, confirming a complex spin texture of bulk Rashba states. The outer band has about twice larger spin polarization than the inner one, giving evidence of a spin-orbit effect being related to the orbital composition of the band states. The switchable inner electric field of GeTe implies new functionalities for spintronic devices.
Práva: © American Physical Society
Vyskytuje se v kolekcích:Články / Articles (CTM)
OBD

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
43917455.pdf3,53 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít
Elmers_GeTe(111).pdf835,23 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/25696

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.