| Název: | High-rate reactive high-power impulse magnetron sputtering of transparent conductive Al-doped ZnO thin films prepared at ambient temperature |
| Další názvy: | Vysokorychlostní reaktivní vysokovýkonové pulzní magnetronové naprašování transparetních vodivých vrstev hliníkem dopovaného ZnO za nízké teploty |
| Autoři: | Rezek, Jiří Novák, Petr Houška, Jiří Pajdarová, Andrea Dagmar Kozák, Tomáš |
| Citace zdrojového dokumentu: | REZEK, J., NOVÁK, P., HOUŠKA, J., PAJDAROVÁ, A. D., KOZÁK, T. High-rate reactive high-power impulse magnetron sputtering of transparent conductive Al-doped ZnO thin films prepared at ambient temperature. Thin Solid Films, 2019, roč. 679, č. 1 Jun 2019, s. 35-41. ISSN 0040-6090. |
| Datum vydání: | 2019 |
| Nakladatel: | Elsevier |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | 2-s2.0-85064160934 http://hdl.handle.net/11025/34737 |
| ISSN: | 0040-6090 |
| Klíčová slova: | Hliníkem dopovaný ZnO;Transparentní vodivé materiály;Reaktivní vysokovýkonové pulzní magnetronové naprašování;Vysoká depoziční rychlost |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | Aluminum-doped zinc oxide;Transparent conductive materials;Reactive HiPIMS;High deposition rate |
| Abstrakt: | Reaktivní vysokovýkonové magnetronové naprašování bylo použito pro vysokorychlostní (až 60 nm/min) depozici vodivých (měrný elektrický odpor 0,003 Ω·cm) a opticky transparentních (extinkční koeficient 0,01 na vlnové délce 550 nm) tenkých vrstev ZnO:Al za nízké teploty (< 40 °C). Použili jsme planární Zn:Al terč (3,09 at.% Al) o průměru 100 mm a tloušťce 6 mm upevněný na silně nevyváženém magnetronu. Vrstvy byly deponovány ve směsi argon-kyslík při konstantním parciálním tlaku argonu 2,0 Pa a konstantním parciálním tlaku kyslíku 0,1 Pa. Pro všechny experimenty byla průměrná výkonová hustota na terči 1,9 W/cm^2 a délka napěťového pulzu 200 µs. Průměrná výkonová hustota na terči v pulzu se měnila od 190 W/cm^2 do 940 W/cm^2. Optická emisní spektroskopie byla použita pro lepší pochopení korelací mezi vlastnostmi výbojového plazmatu a strukturními, elektrickými a optickými vlastnostmi připravených vrstev. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | Reactive high-power impulse magnetron sputtering was used for high-rate (deposition rate of 60 nm/min) deposition of conductive (resistivity of 0.003 Ω·cm) and optically transparent (extinction coefficient at the wavelength of 550 nm of 0.01) ZnO:Al thin films at ambient temperature (< 40 °C). We used planar Zn:Al target (3.09 at.% of Al) with diameter of 100 mm and thickness of 6 mm mounted on strongly unbalanced magnetron. The films were deposited in argon‑oxygen atmosphere at constant argon and oxygen partial pressure of 2.0 Pa and 0.1 Pa, respectively. An average target power and voltage pulse length were kept constant to 1.9 W/cm^2 and 200 µs, respectively. A pulse-averaged target power density was varied in the range of 190–940 W/cm^2. Optical emission spectroscopy was used for better understanding of correlations between plasma discharge properties and structural, electrical and optical properties of prepared films. |
| Práva: | Plný text není přístupný. © Elsevier |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Články / Articles (CT4) Články / Articles (KFY) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| OBD19_Rezek,Houska_Pajdarova_clanek.pdf | 1,65 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/34737Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.