| Název: | Effective Passivation of Black Silicon Surfaces via Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Grown Conformal Hydrogenated Amorphous Silicon Layer |
| Další názvy: | Efektivní pasivace povrchu černého křemíku vrstvou hydrogenizovaného amorfního křemíku naneseného pomocí plazmou podpořené depozice z plynné fáze. |
| Autoři: | Özkol, Engin Procel, Paul Zhao, Yifeng Mazzarella, Luana Medlín, Rostislav Šutta, Pavol Isabella, Olindo Zeman, Miro |
| Citace zdrojového dokumentu: | ÖZKOL, E., PROCEL, P., ZHAO, Y., MAZZARELLA, L., MEDLÍN, R., ŠUTTA, P., ISABELLA, O., ZEMAN, M. Effective Passivation of Black Silicon Surfaces via Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Grown Conformal Hydrogenated Amorphous Silicon Layer. Physica Status Solidi-Rapid Research Letters, 2020, roč. 14, č. 1. ISSN 1862-6254. |
| Datum vydání: | 2020 |
| Nakladatel: | Wiley |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | 2-s2.0-85074585368 http://hdl.handle.net/11025/36633 |
| ISSN: | 1862-6254 |
| Klíčová slova: | černý křemík;conformální růst;hydrogenizovaný amorfní křemík;Plazmou podpořená depozice z plynné fáze;povrchová pasivace |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | black silicon;conformal growth;hydrogenated amorphous silicon;plasma-enhanced chemical vapor deposition;surface passivation |
| Abstrakt: | Solární články na bázi černého křemíku (b-Si) se ukázaly ve fotovoltaice (PV) jako nadějné a přesahující 22% účinnost. Pro dosažení vysoké účinnosti u povrchů b-Si je nejdůležitějším krokem efektivní pasivace povrchu. Dosud je nejúčinnější doba životnosti minoritních nosičů dosahována depozicí několik atomů tenké vrstvy Al2O3 nebo tepelného SiO2. Plazmou podpořená chemická depozice z par (PECVD) vrstvy hydrogenizovaného amorfního křemíku (a-Si: H) jako pasivace b-Si je jen zřídka hlášena kvůli problémům s konformitou. V této současné studii jsou b-Si povrchy superponované na standardní pyramidální textury, také známé jako modulované povrchové textury (MST), úspěšně pasivovány konformními vrstvami a-Si:H nanesenými PECVD. Je ukázáno, že za správných podmínek plazmou podpořené depozice mohou efektivní doby životnosti minoritních nosičů vzorků vybavených přední MST a zadní standardní pyramidální strukturou dosáhnout až 2,3 ms. Cesta ke konformnímu růstu je popsána a vyvinuta za pomoci transmisních elektronových mikroskopických (TEM) obrazů. Pasivované vzorky MST vykazují méně než 4% odraz v širokém spektrálním rozsahu od 430 do 1020 nm. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | Solar cells based on black silicon (b-Si) are proven to be promising in photovoltaics (PVs) by exceeding 22%efficiency. To reach high efficiencies with b-Si surfaces, the most crucial step is the effective surface passivation. Up to now, the highest effective minority carrier lifetimes are achieved with atomic layer-deposited Al2O3 or thermal SiO2. Plasmaenhanced chemical vapor deposition (PECVD)-grown hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) passivation of b-Si is seldom reported due to conformality problems. In this current study, b-Si surfaces superposed on standard pyramidal textures, also known as modulated surface textures (MSTs), are successfully passivated by PECVD-grown conformal layers of a-Si:H. It is shown that under proper plasma-processing conditions, the effective minority carrier lifetimes of samples endowed with front MST and rear standard pyramidal textures can reach up to 2.3 ms. A route to the conformal growth is described and developed by transmission electron microscopic (TEM) images. Passivated MST samples exhibit less than 4% reflection in a wide spectral range from 430 to 1020 nm. |
| Práva: | © Wiley |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Články / Articles (CT4) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| MEDLIN_pssr.201900087.pdf | 1,8 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/36633Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.