Název: | Effect of positive pulse voltage in bipolar reactive HiPIMS on crystal structure, microstructure and mechanical properties of CrN films |
Další názvy: | Vliv napětí v kladném pulzu bipolárního reaktivního HiPIMS na krystalovou strukturu, mikrostrukturu a mechanické vlastnosti vrstev CrN |
Autoři: | Batková, Šárka Čapek, Jiří Rezek, Jiří Čerstvý, Radomír Zeman, Petr |
Citace zdrojového dokumentu: | BATKOVÁ, Š., ČAPEK, J., REZEK, J., ČERSTVÝ, R., ZEMAN, P. Effect of positive pulse voltage in bipolar reactive HiPIMS on crystal structure, microstructure and mechanical properties of CrN films. Surface and Coatings Technology, 2020, roč. 393, č. 15 JUL 2020, s. „125773-1“-„125773-7“. ISSN 0257-8972. |
Datum vydání: | 2020 |
Nakladatel: | Elsevier |
Typ dokumentu: | článek article |
URI: | 2-s2.0-85083311659 http://hdl.handle.net/11025/37036 |
ISSN: | 0257-8972 |
Klíčová slova: | Bipolární reaktivní HiPIMS;Držák substrátů na plovoucím potenciálu;Uzemněný držák substrátů;Držák substrátů s DC předpětím;Vrstvy CrN;Mikrostruktura |
Klíčová slova v dalším jazyce: | Bipolar reactive HiPIMS;Floating substrate holder;Grounded substrate holder;DC biased substrate holder;CrN films;Microstructure |
Abstrakt: | Vrstvy CrN byly připraveny ve třech konfiguracích módu HiPIMS výboje a potenciálu držáku substrátů. Zkoumáme vliv napětí v kladném pulzu (30–400 V) v bipolárním HiPIMS na krystalovou strukturu, mikrostrukturu a související mechanické vlastnosti vrstev a porovnáváme s vlivem standardního DC předpětí na držáku substrátů v unipolárním HiPIMS. Zjistili jsme, že když je držák substrátů na plovoucím potenciálu, jeho nabíjení způsobuje ztrátu rozdílu potenciálů mezi plazmatem a substrátem, který je nutný pro urychlení iontů, a nepozorujeme tak žádný výrazný vývoj s rostoucím kladným napětím. Když je ale držák substrátů uzemněn, vliv kladného napětí je zřejmý a odlišný od vlivu DC předpětí. Důvodem je hlavně rozdíl v energiích vnesených do vrstvy bombardujícími ionty. Vrstvy připravené pomocí bipolárního HiPIMS s napětím v kladném pulzu 90 a 120 V vykazují nejzajímavější vlastnosti, a to vysokou tvrdost (23,5 a 23,1 GPa) při relativně nízkém tlakovém pnutí (1,7 a 1,5 GPa). Tyto výsledky naznačují, že pokud je rostoucí vrstva uzemněna, bipolární HiPIMS je vhodnou metodou pro vylepšení vlastností vrstev. |
Abstrakt v dalším jazyce: | CrN films were prepared using three different configurations of the HiPIMS discharge mode and the substrate holder potential. We investigate the effect of a positive pulse voltage (30–400 V) in bipolar HiPIMS on the crystal structure, microstructure and resulting mechanical properties of the films, and compare it to the effect of a standard DC bias voltage applied to the substrate holder in unipolar HiPIMS. We find that when the substrate holder is at a floating potential, its charging causes the loss of the plasma-substrate potential difference, necessary for ion acceleration, and no obvious evolution is thus observed with increasing positive pulse voltage. However, when the substrate holder is grounded, the effect of the positive pulse voltage is apparent and different from the effect of the DC bias substrate voltage. That is mainly due to differences in energies delivered into the growing film by bombarding ions. Films prepared using bipolar HiPIMS at a positive pulse voltage of 90 and 120 V exhibit the most interesting properties, namely high hardness (23.5 and 23.1 GPa, respectively) at a relatively low residual compressive stress (1.7 and 1.5 GPa, respectively). The results indicate that as long as the growing film is conductively connected with the ground, bipolar HiPIMS is a suitable method to tailor and improve the film properties. |
Práva: | Plný text není přístupný. © Elsevier |
Vyskytuje se v kolekcích: | Články / Articles (NTIS) Články / Articles (KFY) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
Soubor | Velikost | Formát | |
---|---|---|---|
OBD20_Batkova,Capek,Rezek_clanek.pdf | 2,41 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/37036
Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.