Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorMareš, Pavel
dc.contributor.authorDubau, M.
dc.contributor.authorPolášek, Jan
dc.contributor.authorMates, Tomáš
dc.contributor.authorKozák, Tomáš
dc.contributor.authorVyskočil, Jiří
dc.date.accessioned2021-09-06T10:00:27Z-
dc.date.available2021-09-06T10:00:27Z-
dc.date.issued2021
dc.identifier.citationMAREŠ, P., DUBAU, M., POLÁŠEK, J., MATES, T., KOZÁK, T., VYSKOČIL, J. High deposition rate films prepared by reactive HiPIMS. Vacuum, 2021, roč. 191, č. SEP 2021, s. "110329-1" - "110329-10". ISSN 0042-207X.cs
dc.identifier.issn0042-207X
dc.identifier.uri2-s2.0-85107435174
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/45049
dc.description.abstractTeoretické modely naznačují, že při depozici vrstev pomocí reaktivního HiPIMS lze dosáhnout vyšší depoziční rychlosti v porovnání s pulzním magnetronovým naprašováním s vyššími opakovacími frekvencemi (Mf-PDCMS, mid-frequency pulsed dc magnetron sputtering) díky nižšímu stupni otrávení terče. Pro potvrzení těchto teoretických výsledků byly provedeny série experimentů v laboratorním depozičním systému s různými terčovými materiály (Al, Cr, Ti, Zr, Hf, Ta, Nb). Dva terče stejného materiálu byly rozprašovány jak pomocí duálního Mf-PDCMS, tak pomocí duálního HiPIMS výboje při konstantním výkonu. Potvrzuje se, že vyšší depoziční rychlosti v oxidovém módu lze dosáhnout u HiPIMS depozice Ta2O5 a Nb2O5 vrstev. Experimentální výsledky jsou podpořeny Monte-Carlo simulacemi v programech SRIM a SDTrimSP.cs
dc.format10 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoenen
dc.publisherElsevieren
dc.relation.ispartofseriesVacuumen
dc.rightsPlný text není přístupný.cs
dc.rights© Elsevieren
dc.subjectReaktivní magnetronové naprašovánícs
dc.subjectHiPIMScs
dc.subjectMonte-Carlo simulacecs
dc.subjectDepoziční rychlostcs
dc.subjectRozprašovací výtěžekcs
dc.titleHigh deposition rate films prepared by reactive HiPIMSen
dc.title.alternativeVysoká depoziční rychlost vrstev připravených reaktivní HiPIMS depozicícs
dc.typečlánekcs
dc.typearticleen
dc.rights.accessclosedAccessen
dc.type.versionpublishedVersionen
dc.description.abstract-translatedTheoretical models indicate that reactive HiPIMS can deliver higher deposition rates compared to the mid-frequency pulsed dc magnetron sputtering (Mf-PDCMS) due to a lower degree of target poisoning. To confirm these theoretical results, series of experiments were performed in laboratory deposition system with different target materials (Al, Cr, Ti, Zr, Hf, Ta, Nb). Two targets of the same material were employed both in dual Mf-PDCMS and in dual HiPIMS conditions at a fixed power. It is confirmed that higher values of the deposition rate for Ta2O5 and Nb2O5 films can be achieved by HiPIMS when operated in the poisoned regime. The experimental results are supported by Monte-Carlo simulations performed in SRIM and SDTrimSP simulation software.en
dc.subject.translatedReactive magnetron sputteringen
dc.subject.translatedHiPIMSen
dc.subject.translatedMonte-Carlo simulationsen
dc.subject.translatedDeposition rateen
dc.subject.translatedSputtering yielden
dc.identifier.doi10.1016/j.vacuum.2021.110329
dc.type.statusPeer-revieweden
dc.identifier.document-number679319300003
dc.identifier.obd43933008
dc.project.IDFV30177/Výzkum a vývoj nových pulzních plazmových technologií pro depozici pokročilých tenkovrstvých materiálůcs
Appears in Collections:Články / Articles (NTIS)
OBD

Files in This Item:
File SizeFormat 
OBD21_Kozak.pdf7,09 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy


Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11025/45049

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

search
navigation
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. OBD