Název: GaN Based Inverter Current-Collapse Behavior with Switching Frequency and Blocking Voltage
Autoři: Skarolek, Pavel
Frolov, Filipp
Lettl, Jiří
Citace zdrojového dokumentu: 2021 International Conference on Applied Electronics: Pilsen, 7th – 8th September 2021, Czech Republic, p. 163-167.
Datum vydání: 2021
Nakladatel: University of West Bohemia
Typ dokumentu: konferenční příspěvek
conferenceObject
URI: http://hdl.handle.net/11025/45586
ISBN: 978–80–261–0972–3 (Print)
978–80–261–0973–0 (Online)
ISSN: 1803–7232 (Print)
1805–9597 (Online)
Klíčová slova: kolaps proudu;třífázový invertor;GaN;nitrid gallia
Klíčová slova v dalším jazyce: GaN;gallium nitride;current collapse;three phaseinverter
Abstrakt v dalším jazyce: Current collapse in gallium nitridebased transistors limittheir use in high powerand high frequencyconverters. In some cases, it makes the conduction losses to double. This paper investigates the measurement of dynamic on-state resistance for various cases such as blocking voltage and switching frequency. The optimum minimal length of pulses wasdetermined in the case of three phase inverterto minimize the influence of current collapse.
Práva: © University of West Bohemia, 2021
Vyskytuje se v kolekcích:Applied Electronics 2021
Applied Electronics 2021

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
GaN_Based_Inverter_Current-Collapse_Behavior_with_Switching_Frequency_and_Blocking_Voltage.pdfPlný text1,21 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/45586

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.