Full metadata record
DC pole | Hodnota | Jazyk |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | Drábek, Pavel | |
dc.contributor.author | Truong, Dinh Hung | |
dc.contributor.referee | Fořt, Jiří | |
dc.date.accepted | 2012-06-05 | |
dc.date.accessioned | 2013-06-19T06:29:18Z | |
dc.date.available | 2010-10-18 | cs |
dc.date.available | 2013-06-19T06:29:18Z | |
dc.date.issued | 2012 | |
dc.date.submitted | 2012-05-11 | |
dc.identifier | 40793 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11025/2662 | |
dc.description.abstract | Polovodičové součástky na bázi křemíku (Si) a arsenik galia (GaAs) nejsou vhodné pro použití ve vysokých teplotách, napětích a ve vysokofrekvenčních zařízeních. Velká mechanická pevnost, vysoká tepelná vodivost a široký zakázaný pás jsou vlastnosti, které z SiC dělá vhodného kandidáta pro použití v polovodičové technice. | cs |
dc.format | 40 s. | cs |
dc.format.mimetype | application/pdf | |
dc.language.iso | cs | cs |
dc.publisher | Západočeská univerzita v Plzni | cs |
dc.relation.isreferencedby | https://portal.zcu.cz/StagPortletsJSR168/CleanUrl?urlid=prohlizeni-prace-detail&praceIdno=40793 | - |
dc.rights | Plný text práce je přístupný bez omezení. | cs |
dc.subject | SiC | cs |
dc.subject | karbid křemíku | cs |
dc.subject | 3C-SiC | cs |
dc.subject | 4H-SiC | cs |
dc.subject | 6H-SiXC | cs |
dc.subject | polytypie | cs |
dc.subject | epitaxe | cs |
dc.subject | ohmický kontakt | cs |
dc.subject | Schottkyho kontakt | cs |
dc.subject | PN dioda s SiC | cs |
dc.subject | Schottkyho dioda s SiC | cs |
dc.subject | VJFET s SiC | cs |
dc.subject | pulsní měnič | cs |
dc.title | Moderní polovodičové součástky ve výkonové elektronice | cs |
dc.title.alternative | Modern semiconductor components in power electronics | en |
dc.type | diplomová práce | cs |
dc.thesis.degree-name | Ing. | cs |
dc.thesis.degree-level | Navazující | cs |
dc.thesis.degree-grantor | Západočeská univerzita v Plzni. Fakulta elektrotechnická | cs |
dc.description.department | Katedra technologií a měření | cs |
dc.thesis.degree-program | Elektrotechnika a informatika | cs |
dc.description.result | Obhájeno | cs |
dc.rights.access | openAccess | en |
dc.description.abstract-translated | Semiconductor devices based on silicon (Si) and gallium arsenic (GaAs) are not suitable for use in high temperature, voltage and high frequency device. Great mechanical strength, high thermal conductivity and wide bandgap are properties of SiC, which makes a good candidate for use in semiconductor technology. | en |
dc.subject.translated | SiC | en |
dc.subject.translated | silicon carbide | en |
dc.subject.translated | 3C-SiC | en |
dc.subject.translated | 4H-SiC | en |
dc.subject.translated | 6H-SiXC | en |
dc.subject.translated | polytypie | en |
dc.subject.translated | epitaxe | en |
dc.subject.translated | ohmický kontakt | en |
dc.subject.translated | Schottkyho kontakt | en |
dc.subject.translated | PN dioda s SiC | en |
dc.subject.translated | Schottkyho dioda s SiC | en |
dc.subject.translated | VJFET s SiC | en |
dc.subject.translated | pulsní měnič | en |
Vyskytuje se v kolekcích: | Diplomové práce / Theses (KET) |
Soubory připojené k záznamu:
Soubor | Popis | Velikost | Formát | |
---|---|---|---|---|
DP_Truong_MPSVE_2012.pdf | Plný text práce | 3,19 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
040793_vedouci.pdf | Posudek vedoucího práce | 267,24 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Truong_O.pdf | Posudek oponenta práce | 657,77 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
040793_hodnoceni.pdf | Průběh obhajoby práce | 112,43 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/2662
Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.