| Title: | Moderní polovodičové součástky ve výkonové elektronice |
| Other Titles: | Modern semiconductor components in power electronics |
| Authors: | Truong, Dinh Hung |
| Advisor: | Drábek, Pavel |
| Referee: | Fořt, Jiří |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | Západočeská univerzita v Plzni |
| Document type: | diplomová práce |
| URI: | http://hdl.handle.net/11025/2662 |
| Keywords: | SiC;karbid křemíku;3C-SiC;4H-SiC;6H-SiXC;polytypie;epitaxe;ohmický kontakt;Schottkyho kontakt;PN dioda s SiC;Schottkyho dioda s SiC;VJFET s SiC;pulsní měnič |
| Keywords in different language: | SiC;silicon carbide;3C-SiC;4H-SiC;6H-SiXC;polytypie;epitaxe;ohmický kontakt;Schottkyho kontakt;PN dioda s SiC;Schottkyho dioda s SiC;VJFET s SiC;pulsní měnič |
| Abstract: | Polovodičové součástky na bázi křemíku (Si) a arsenik galia (GaAs) nejsou vhodné pro použití ve vysokých teplotách, napětích a ve vysokofrekvenčních zařízeních. Velká mechanická pevnost, vysoká tepelná vodivost a široký zakázaný pás jsou vlastnosti, které z SiC dělá vhodného kandidáta pro použití v polovodičové technice. |
| Abstract in different language: | Semiconductor devices based on silicon (Si) and gallium arsenic (GaAs) are not suitable for use in high temperature, voltage and high frequency device. Great mechanical strength, high thermal conductivity and wide bandgap are properties of SiC, which makes a good candidate for use in semiconductor technology. |
| Rights: | Plný text práce je přístupný bez omezení. |
| Appears in Collections: | Diplomové práce / Theses (KET) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| DP_Truong_MPSVE_2012.pdf | Plný text práce | 3,19 MB | Adobe PDF | View/Open |
| 040793_vedouci.pdf | Posudek vedoucího práce | 267,24 kB | Adobe PDF | View/Open |
| Truong_O.pdf | Posudek oponenta práce | 657,77 kB | Adobe PDF | View/Open |
| 040793_hodnoceni.pdf | Průběh obhajoby práce | 112,43 kB | Adobe PDF | View/Open |
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/11025/2662Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.