Full metadata record
DC pole | Hodnota | Jazyk |
---|---|---|
dc.contributor.author | Nemšák, Slavomír | |
dc.contributor.author | Gehlmann, Mathias | |
dc.contributor.author | Kuo, Cheng Tai | |
dc.contributor.author | Lin, Shih Chieh | |
dc.contributor.author | Schlueter, Christoph | |
dc.contributor.author | Młyńczak, Ewa | |
dc.contributor.author | Lee, Tienlin | |
dc.contributor.author | Pluciński, Łukasz | |
dc.contributor.author | Ebert, Hubert | |
dc.contributor.author | Di Marco, Igor | |
dc.contributor.author | Minár, Jan | |
dc.contributor.author | Schneider, Claus Michael | |
dc.contributor.author | Fadley, Charles S. | |
dc.date.accessioned | 2018-12-21T11:01:08Z | - |
dc.date.available | 2018-12-21T11:01:08Z | - |
dc.date.issued | 2018 | |
dc.identifier.citation | NEMŠÁK, S., GEHLMANN, M., KUO, C. T., LIN, S. C., SCHLUETER, C., MŁYŃCZAK, E., LEE, T., PLUCIŃSKI, Ł., EBERT, H., DI MARCO, I., MINÁR, J., SCHNEIDER, C. M., FADLEY, C. S. Element-and momentum-resolved electronic structure of the dilute magnetic semiconductor manganese doped gallium arsenide. Nature Communications, 2018, roč. 9, č. AUG 17 2018, s. [1-6]. ISSN 2041-1723. | en |
dc.identifier.issn | 2041-1723 | |
dc.identifier.uri | 2-s2.0-85051749754 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11025/30744 | |
dc.description.abstract | Zředěné magnetické polovodiče slibují v aplikacích založených na spinových elektronických zařízeních na jejich potenciál pro feromagnetický pořádek při pokojové teplotě a různé unikátní přepínání a spin-závislé vodivosti. Nicméně přesný mechanismus, kterým dopování z přechodného kovu způsobuje, že ferromagnetismus je kontroverzní. Tady máme studoval zředěný magnetický polovodič (5% manganem dopovaný gallium arsenid) s Braggův reflexní stojatý vlnový paprsek s pevným rentgenovým paprskem se spektrální rozlišovací schopností a vyřešila svou elektronickou strukturu na součásti, které byly vyřešeny prvkem a momentem. The měřené intenzity valenčního pásma byly promítány do prvků vyřešených prvkem pomocí analogových energetických skenů Ga 3d, Mn 2p a As 3D úrovní jádra, s vynikajícími výsledky dohodu s elementy-projektované Bloch spektrální funkce a objasnění elektronické struktury tohoto prototypového materiálu. Tato technika by měla být široce použitelná pro jiné vícevrstvých materiálů. | cs |
dc.format | 8 s. | cs |
dc.format.mimetype | application/pdf | |
dc.language.iso | en | en |
dc.publisher | Nature Research | en |
dc.rights | © Nature Research | en |
dc.subject | ARPES, XSW, KKR, DMS | cs |
dc.title | Element-and momentum-resolved electronic structure of the dilute magnetic semiconductor manganese doped gallium arsenide | en |
dc.title.alternative | Element a hybnost rozlišená elektronická struktura zředěného magnetického polovodiče: manganem dopovaného gallium arsenidu | cs |
dc.type | článek | cs |
dc.type | article | en |
dc.rights.access | openAccess | en |
dc.type.version | publishedVersion | en |
dc.description.abstract-translated | The dilute magnetic semiconductors have promise in spin-based electronics applications due to their potential for ferromagnetic order at room temperature, and various unique switching and spin-dependent conductivity properties. However, the precise mechanism by which the transition-metal doping produces ferromagnetism has been controversial. Here we have studied a dilute magnetic semiconductor (5% manganese-doped gallium arsenide) with Bragg-reflection standing-wave hard X-ray angle-resolved photoemission spectroscopy, and resolved its electronic structure into element- and momentum- resolved components. The measured valence band intensities have been projected into element-resolved components using analogous energy scans of Ga 3d, Mn 2 p, and As 3d core levels, with results in excellent agreement with element-projected Bloch spectral functions and clarification of the electronic structure of this prototypical material. This technique should be broadly applicable to other multi-element materials. | en |
dc.subject.translated | ARPES, XSW, KKR, DMS | en |
dc.identifier.doi | 10.1038/s41467-018-05823-z | |
dc.type.status | Peer-reviewed | en |
dc.identifier.document-number | 441865700002 | |
dc.identifier.obd | 43923816 | |
dc.project.ID | info:eu-repo/grantAgreetment/EC/Výpočetní a experimentální design pokročilých materiálů s novými funkcionalitami /CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000358 | cs |
Vyskytuje se v kolekcích: | OpenAire Články / Articles (CTM) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
Soubor | Velikost | Formát | |
---|---|---|---|
NGK+18_GaMnAs_nemsak_NatCom.pdf | 1,76 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/30744
Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.