Full metadata record
DC poleHodnotaJazyk
dc.contributor.authorKhan, Saleem Ayaz
dc.contributor.authorVondráček, Martin
dc.contributor.authorBlaha, Peter
dc.contributor.authorHoráková, Kateřina
dc.contributor.authorMinár, Jan
dc.contributor.authorŠipr, Ondřej
dc.contributor.authorCháb, Vladimír
dc.date.accessioned2020-06-22T10:00:15Z-
dc.date.available2020-06-22T10:00:15Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationKHAN, S. A., VONDRÁČEK, M., BLAHA, P., HORÁKOVÁ, K., MINÁR, J., ŠIPR, O., CHÁB, V. Local geometry around B atoms in B/Si(111) from polarized x-ray absorption spectroscopy. Journal of physics-condensed matter, 2020, roč. 32, č. 4. ISSN 0953-8984.en
dc.identifier.issn0953-8984
dc.identifier.uri2-s2.0-85075814264
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/37029
dc.description.abstractUspořádání atomů B v dopovaném systému Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30◦:B bylo studováno za použití jemné struktury rentgenové absorpce blízko okraje (NEXAFS). Atomy boru byly deponovány segregací z objemu opakovaným blikáním vzorku. Pozice atomů B se stanoví porovnáním měřených polarizovaných (závislých na úhlu) NEXAFS spekter se spektry vypočtenými pro různé strukturální modely na základě výpočtu celkové energie ab initio. Zjistilo se, že většina atomů boru je umístěna v podpovrchových polohách Lc1, pod atomem Si. Avšak v závislosti na metodě přípravy může být významná část atomů B umístěna jinde. Možné umístění těchto ne-Lc1-atomů je na povrchu, vedle těch atomů Si, které tvoří rekonstrukci ( √ 3 × √ 3)R30◦.cs
dc.format7 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoenen
dc.publisherIOP Publishingen
dc.relation.ispartofseriesJournal Of Physics-condensed Matteren
dc.rightsPlný text není přístupný.cs
dc.rights© IOP Publishingen
dc.subjectab initiocs
dc.subjectstrukturní analýzacs
dc.subjectXAScs
dc.titleLocal geometry around B atoms in B/Si(111) from polarized x-ray absorption spectroscopyen
dc.title.alternativeLokální geometrie kolem B atomů v B/Si(111) z polarizované rentgenové absorpční spektroskopiecs
dc.typečlánekcs
dc.typearticleen
dc.rights.accessclosedAccessen
dc.type.versionpublishedVersionen
dc.description.abstract-translatedThe arrangement of B atoms in a doped Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30◦:B system was studied using a near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS). Boron atoms were deposited via segregation from the bulk by flashing the sample repeatedly. The positions of B atoms are determined by comparing measured polarized (angle-dependent) NEXAFS spectra with spectra calculated for various structural models based on ab initio total energy calculations. It is found that most of boron atoms are located in sub-surface Lc1 positions, beneath a Si atom. However, depending on the preparation method a significant portion of B atoms may be located elsewhere. A possible location of these non-Lc1-atoms is at the surface, next to those Si atoms which form the ( √ 3 × √ 3)R30◦ reconstruction.en
dc.subject.translatedab initioen
dc.subject.translatedstructure analysisen
dc.subject.translatedXASen
dc.identifier.doi10.1088/1361-648X/ab4aba
dc.type.statusPeer-revieweden
dc.identifier.document-number492984500006
dc.identifier.obd43929549
dc.project.IDEF15_003/0000358/Výpočetní a experimentální design pokročilých materiálů s novými funkcionalitamics
Vyskytuje se v kolekcích:Články / Articles
OBD

Soubory připojené k záznamu:
Soubor VelikostFormát 
B-Si111.pdf872,51 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít  Vyžádat kopii
Zobrazit minimální záznam Zobrazit statistiky


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/37029

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání
navigace
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. OBD