| Title: | Local geometry around B atoms in B/Si(111) from polarized x-ray absorption spectroscopy |
| Other Titles: | Lokální geometrie kolem B atomů v B/Si(111) z polarizované rentgenové absorpční spektroskopie |
| Authors: | Khan, Saleem Ayaz Vondráček, Martin Blaha, Peter Horáková, Kateřina Minár, Jan Šipr, Ondřej Cháb, Vladimír |
| Citation: | KHAN, S. A., VONDRÁČEK, M., BLAHA, P., HORÁKOVÁ, K., MINÁR, J., ŠIPR, O., CHÁB, V. Local geometry around B atoms in B/Si(111) from polarized x-ray absorption spectroscopy. Journal of physics-condensed matter, 2020, roč. 32, č. 4. ISSN 0953-8984. |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | IOP Publishing |
| Document type: | článek article |
| URI: | 2-s2.0-85075814264 http://hdl.handle.net/11025/37029 |
| ISSN: | 0953-8984 |
| Keywords: | ab initio;strukturní analýza;XAS |
| Keywords in different language: | ab initio;structure analysis;XAS |
| Abstract: | Uspořádání atomů B v dopovaném systému Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30◦:B bylo studováno za použití jemné struktury rentgenové absorpce blízko okraje (NEXAFS). Atomy boru byly deponovány segregací z objemu opakovaným blikáním vzorku. Pozice atomů B se stanoví porovnáním měřených polarizovaných (závislých na úhlu) NEXAFS spekter se spektry vypočtenými pro různé strukturální modely na základě výpočtu celkové energie ab initio. Zjistilo se, že většina atomů boru je umístěna v podpovrchových polohách Lc1, pod atomem Si. Avšak v závislosti na metodě přípravy může být významná část atomů B umístěna jinde. Možné umístění těchto ne-Lc1-atomů je na povrchu, vedle těch atomů Si, které tvoří rekonstrukci ( √ 3 × √ 3)R30◦. |
| Abstract in different language: | The arrangement of B atoms in a doped Si(111)-( √ 3 × √ 3)R30◦:B system was studied using a near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS). Boron atoms were deposited via segregation from the bulk by flashing the sample repeatedly. The positions of B atoms are determined by comparing measured polarized (angle-dependent) NEXAFS spectra with spectra calculated for various structural models based on ab initio total energy calculations. It is found that most of boron atoms are located in sub-surface Lc1 positions, beneath a Si atom. However, depending on the preparation method a significant portion of B atoms may be located elsewhere. A possible location of these non-Lc1-atoms is at the surface, next to those Si atoms which form the ( √ 3 × √ 3)R30◦ reconstruction. |
| Rights: | Plný text není přístupný. © IOP Publishing |
| Appears in Collections: | Články / Articles OBD |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| B-Si111.pdf | 872,51 kB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/11025/37029Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.