Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorČapek Jiří, Doc. Ing. Ph.D.
dc.contributor.authorHendrych, Ondřej
dc.contributor.refereeČerstvý Radomír, Ing. Ph.D.
dc.date.accepted2020-8-27
dc.date.accessioned2020-11-10T00:39:39Z-
dc.date.available2019-10-1
dc.date.available2020-11-10T00:39:39Z-
dc.date.issued2020
dc.date.submitted2020-7-17
dc.identifier83821
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/41875
dc.description.abstractTato práce se zabývá vrstvami CrN vytvořenými vysokovýkonovým pulzním reaktivním magnetronovým naprašováním (HiPIMS). Důraz je kladen na vliv záporného předpětí na substrátu na jejich růst a vlastnosti. Jedna vrstva byla připravena bez předpětí a šest vrstev s předpětím v rozmezí od -30 V do -400 V. Ukázalo se, že se vzrůstajícím záporným předpětím na substrátu klesá depoziční rychlost z maximálních 52 nm/min bez předpětí až na 26 nm/min při předpětí -400 V. Tvrdost deponované tenké vrstvy dosáhne nejvyšší hodnoty při -30 V (25.8 GPa). Bohužel záporná předpětí způsobují v deponovaných vrstvách kompresní pnutí, které je při -30 V 2.5 GPa. Takto vysoké pnutí způsobuje v této vrstvě problémy s adhezí. Při předpětí -90 V dosahuje tvrdost 22.6 GPa a pnutí 2.8 GPa, což je nejvyšší zjištěné pnutí. Pro vyšší záporná předpětí klesá jak tvrdost, tak pnutí až na minimální hodnoty při -400 V, kdy je tvrdost 17.7 GPa a pnutí 1.7 GPa. Je důležité podotknout, že pnutí je podstatně větší při naprašování s předpětím, než při naprašování bez předpětí.cs
dc.format33 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isocscs
dc.publisherZápadočeská univerzita v Plznics
dc.rightsPlný text práce je přístupný bez omezení.cs
dc.subjecthipimscs
dc.subjectmagnetronové naprašovánícs
dc.subjecttenké vrstvycs
dc.subjectpředpětí substrátucs
dc.titleHiPIMS depozice vrstev CrNcs
dc.typebakalářská prácecs
dc.thesis.degree-nameBc.cs
dc.thesis.degree-levelBakalářskýcs
dc.thesis.degree-grantorZápadočeská univerzita v Plzni. Fakulta aplikovaných vědcs
dc.thesis.degree-programAplikované vědy a informatikacs
dc.description.resultObhájenocs
dc.rights.accessopenAccessen
dc.description.abstract-translatedThis paper focuses on thin CrN films deposited by High Power Impulse Magnetron Sputtering (HiPIMS), especially on the effects of negative substrate bias on the growth of thin films and their properties. A single thin film was deposited without a substrate bias and six were deposited with a substrate bias ranging from -30 V to -400 V. It was concluded that with higher negative substrate bias the deposition rate slowly declines from the maximum value of 52 nm/min without any biasing to 26 nm/min with - 400 V negative substrate bias. Hardness of the deposited thin film reaches the highest point at -30 V of 25.8 GPa, unfortunately negative substrate biases cause compressive stress in thin films, which at -30 V is 2.5 GPa. Compressive stress this high causes problems with adhesion to the substrate. At a bias of -90 V hardness goes down to 22.6 GPa and the stress reaches its peak of 2.8 GPa. For even higher negative substrate biases hardness, as well as compressive stress decline to their minimum values at -400 V, when hardness is at 17.7 GPa and compressive stress is at 1.7 GPa. It is important to note, that the compressive stress of thin CrN films is significantly higher with substrate biasing, than without it.en
dc.subject.translatedhipimsen
dc.subject.translatedmagnetron sputteringen
dc.subject.translatedthin filmsen
dc.subject.translatedsubstrate biasen
Appears in Collections:Bakalářské práce / Bachelor´s works (KFY)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Bakalarska_prace_-_Hendrych.pdfPlný text práce2,03 MBAdobe PDFView/Open
BP_Hendrych_vedouci.pdfPosudek vedoucího práce425,75 kBAdobe PDFView/Open
BP_Hendrych_oponent.pdfPosudek oponenta práce406,89 kBAdobe PDFView/Open
BP_Hendrych_obhajoba.pdfPrůběh obhajoby práce177,15 kBAdobe PDFView/Open


Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11025/41875

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.