| Title: | Tailoring the electronic structure and optical properties of cadmium-doped zinc oxides nanosheet |
| Other Titles: | Přizpůsobení elektronické struktury a optických vlastností nanosheetu oxidu zinečnatého dopovaného kadmiem |
| Authors: | Khan, Saleem Ayaz Azam, Sikander Kanoun, Mohammed Benali Murtaza, Ghulam Rani, Malika Goumri-Said, Souraya |
| Citation: | KHAN, SA. AZAM, S. KANOUN, MB. MURTAZA, G. RANI, M. GOUMRI-SAID, S. Tailoring the electronic structure and optical properties of cadmium-doped zinc oxides nanosheet. Cogent Physics, 2017, roč. 4, č. OCT 27 2017, s. nestránkováno. ISSN: 2331-1940 |
| Issue Date: | 2017 |
| Publisher: | Taylor & Francis |
| Document type: | článek article |
| URI: | http://hdl.handle.net/11025/46289 |
| ISSN: | 2331-1940 |
| Keywords: | ZnO nanosheet;solární články;DFT;optické vlastnosti;elektronická struktura |
| Keywords in different language: | ZnO nanosheet;solar cells;DFT;optical properties;electronic structure |
| Abstract: | Cd-dotovaná nanočástice ZnO (ZnO NS) byla zkoumána za použití metody full-linearised amplified plane wave v rámci generalizované gradientní aproximace (GGA) pro výpočet elektronické struktury a její optické odezvy. Vypočítané pásmové struktury ukázaly, že Cd-dotovaný ZnO NS je polovodič s přímým zakázaným pásmuem Γ s mezerou pásma 1,50 eV. Příspěvek každého atomu / orbitu byl komentován ve světle úplné a částečné hustoty stavů. Dále jsme odvodili optické konstanty (zejména dielektrické konstanty ε1 (0) a ε2 (0)), koeficient absorpce I (ω), index lomu n (ω) (ω). Spektrum koeficientu absorpce ukázalo, že rychle vzroste pro fotonové energie vyšší než 2,5 eV. Bylo zjištěno, že absorpční spektrum je v energetické oblast jei omezené kvůli rozdílným elektronickým přechodům v rámci ZnO NS a dopadu dopingu Cd. Snížení hodnoty zakázaného pásma ZnO NS na nízké hodnoty jsou vhodným způsobem pro emisi světla a aplikace solárních článků. |
| Abstract in different language: | Cd-doped ZnO nanosheet (ZnO NS) were investigated using a full-potential linearized augmented plane wave method within the generalized gradient approximation (GGA) to calculate the electronic structure and its optical response. The calculated band structures have shown that the Cd-doped ZnO NS is a direct band gap semiconductor at Γ with 1.50 eV band gap. The contribution of each atom/orbital were commented in light of total and partial densities of states. We also derived the optical constants (mainly the dielectric constants ε1(0) and ε2(0)), the absorption coefcient I(ω), refractive index n(ω), extinction coefcient k(ω), and energy-loss function L(ω). The spectrum of absorption coefcient has revealed to increase rapidly for photon energies higher than 2.5 eV. The absorption spectrum was found to be limited in energy region due to different contributions electronic transitions that occurred within ZnO NS and effect of Cd doping. Reducing the band gap of ZnO NS to low values is suitable process for light-emitting devices and solar cells applications. |
| Rights: | © Taylor & Francis |
| Appears in Collections: | Články / Articles (RAM) OBD |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| KHAN_Tailoring_the_electronic.pdf | 4,21 MB | Adobe PDF | View/Open |
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/11025/46289Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.