| Název: | Element-and momentum-resolved electronic structure of the dilute magnetic semiconductor manganese doped gallium arsenide |
| Další názvy: | Element a hybnost rozlišená elektronická struktura zředěného magnetického polovodiče: manganem dopovaného gallium arsenidu |
| Autoři: | Nemšák, Slavomír Gehlmann, Mathias Kuo, Cheng Tai Lin, Shih Chieh Schlueter, Christoph Młyńczak, Ewa Lee, Tienlin Pluciński, Łukasz Ebert, Hubert Di Marco, Igor Minár, Jan Schneider, Claus Michael Fadley, Charles S. |
| Citace zdrojového dokumentu: | NEMŠÁK, S., GEHLMANN, M., KUO, C. T., LIN, S. C., SCHLUETER, C., MŁYŃCZAK, E., LEE, T., PLUCIŃSKI, Ł., EBERT, H., DI MARCO, I., MINÁR, J., SCHNEIDER, C. M., FADLEY, C. S. Element-and momentum-resolved electronic structure of the dilute magnetic semiconductor manganese doped gallium arsenide. Nature Communications, 2018, roč. 9, č. AUG 17 2018, s. [1-6]. ISSN 2041-1723. |
| Datum vydání: | 2018 |
| Nakladatel: | Nature Research |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | 2-s2.0-85051749754 http://hdl.handle.net/11025/30744 |
| ISSN: | 2041-1723 |
| Klíčová slova: | ARPES, XSW, KKR, DMS |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | ARPES, XSW, KKR, DMS |
| Abstrakt: | Zředěné magnetické polovodiče slibují v aplikacích založených na spinových elektronických zařízeních na jejich potenciál pro feromagnetický pořádek při pokojové teplotě a různé unikátní přepínání a spin-závislé vodivosti. Nicméně přesný mechanismus, kterým dopování z přechodného kovu způsobuje, že ferromagnetismus je kontroverzní. Tady máme studoval zředěný magnetický polovodič (5% manganem dopovaný gallium arsenid) s Braggův reflexní stojatý vlnový paprsek s pevným rentgenovým paprskem se spektrální rozlišovací schopností a vyřešila svou elektronickou strukturu na součásti, které byly vyřešeny prvkem a momentem. The měřené intenzity valenčního pásma byly promítány do prvků vyřešených prvkem pomocí analogových energetických skenů Ga 3d, Mn 2p a As 3D úrovní jádra, s vynikajícími výsledky dohodu s elementy-projektované Bloch spektrální funkce a objasnění elektronické struktury tohoto prototypového materiálu. Tato technika by měla být široce použitelná pro jiné vícevrstvých materiálů. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | The dilute magnetic semiconductors have promise in spin-based electronics applications due to their potential for ferromagnetic order at room temperature, and various unique switching and spin-dependent conductivity properties. However, the precise mechanism by which the transition-metal doping produces ferromagnetism has been controversial. Here we have studied a dilute magnetic semiconductor (5% manganese-doped gallium arsenide) with Bragg-reflection standing-wave hard X-ray angle-resolved photoemission spectroscopy, and resolved its electronic structure into element- and momentum- resolved components. The measured valence band intensities have been projected into element-resolved components using analogous energy scans of Ga 3d, Mn 2 p, and As 3d core levels, with results in excellent agreement with element-projected Bloch spectral functions and clarification of the electronic structure of this prototypical material. This technique should be broadly applicable to other multi-element materials. |
| Práva: | © Nature Research |
| Vyskytuje se v kolekcích: | OpenAire Články / Articles (CTM) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| NGK+18_GaMnAs_nemsak_NatCom.pdf | 1,76 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/30744Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.