Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorHouška Jiří, Doc. Ing. Ph.D.
dc.contributor.authorHantová, Kamila
dc.contributor.refereeNovák Petr, Ing. Ph.D.
dc.date.accepted2021-6-24
dc.date.accessioned2021-06-25T11:53:11Z-
dc.date.available2020-10-1
dc.date.available2021-06-25T11:53:11Z-
dc.date.issued2021
dc.date.submitted2021-5-28
dc.identifier87630
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/43688
dc.description.abstractTato práce se věnuje modelování tenkých vrstev ZnO a ZnOx pomocí různých druhů klasické molekulární dynamiky. Interakce mezi atomy je popsána pomocí Buckinghamova potenciálu a reactive force field potenciálu, které byly nalezeny v literatuře. Dále byla ověřena jejich fyzikální správnost. Simulace probíhaly za využití software LAMMPS. Pro zadání jednotlivých simulací byly nalezeny parametry pro nanášení atomů na substrát. Na krystalický substrát ZnO přilétaly jednotlivé atomy zinku a kyslíku. Byly sledovány vlastnosti vzniklých tenkých vrstev v závislosti na energii přilétajících atomů, množství pomalých atomů, teplotě simulačního prostředí a poměru množství atomů kyslíku a zinku. Ukázalo se, že jednotlivé parametry mají vliv na pórovitost a krystalitu vzniklých vrstev. V případě rozdílného množství atomů zinku a kyslíku, mělo množství kyslíku vliv na rychlost růstu a amorfnost tenké vrstvy.cs
dc.format88 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isocscs
dc.publisherZápadočeská univerzita v Plznics
dc.rightsPlný text práce je přístupný bez omezení.cs
dc.subjectbuckinghamův potenciálcs
dc.subjectreaxff potenciálcs
dc.subjectznocs
dc.subjectznoxcs
dc.subjectzinekcs
dc.subjectkyslíkcs
dc.subjectwurtzitecs
dc.subjectenergiecs
dc.subjectteplotacs
dc.subjectpomalé atomycs
dc.subjectamorfnícs
dc.subjectkrystalickýcs
dc.titlePředpověď struktury vrstev ZnO a ZnOx vytvářených atom po atomu pomocí různých verzí klasické molekulární dynamikycs
dc.typediplomová prácecs
dc.thesis.degree-nameIng.cs
dc.thesis.degree-levelNavazujícícs
dc.thesis.degree-grantorZápadočeská univerzita v Plzni. Fakulta aplikovaných vědcs
dc.thesis.degree-programAplikované vědy a informatikacs
dc.description.resultObhájenocs
dc.rights.accessopenAccessen
dc.description.abstract-translatedThis thesis focused on modeling of ZnO and ZnOx thin films using various types of classical molecular dynamics. The interaction between atoms is described by the empirical potential and reactive force field potential, which were found in the literature, and their physical accuracy was verified. The simulations were performed in LAMMPS software. For each simulation, the deposition parametres were found. Individual zinc and oxygen atoms were deposited on the crystalline ZnO substrate. The properties of the created thin films were observed dependent on the energy of the deposited atoms, the amount of slow atoms, the temperature of simulated area and the ratio of the number of oxygen and zinc atoms. The simulations results imply that the individual parameters have an affect to the porosity and crystallinity of the resulting layers. In the case of different amounts of zinc and oxygen atoms, the amount of oxygen affects the growth rate and amorphousness of the thin film.en
dc.subject.translatedbuckingham potentialen
dc.subject.translatedreaxff potentialen
dc.subject.translatedznoen
dc.subject.translatedznoxen
dc.subject.translatedzincen
dc.subject.translatedoxygenen
dc.subject.translatedwurtziteen
dc.subject.translatedenergyen
dc.subject.translatedtemperatureen
dc.subject.translatedslow atomsen
dc.subject.translatedamorphousen
dc.subject.translatedcrystallineen
Appears in Collections:Diplomové práce / Theses (KFY)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
DP_hantova.pdfPlný text práce40,06 MBAdobe PDFView/Open
DP_Hantova_vedouci.pdfPosudek vedoucího práce439,55 kBAdobe PDFView/Open
DP_Hantova_oponent.pdfPosudek oponenta práce498,94 kBAdobe PDFView/Open
DP_Hantova_obhajoba.pdfPrůběh obhajoby práce242,83 kBAdobe PDFView/Open


Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11025/43688

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.