Title: Předpověď struktury vrstev ZnO a ZnOx vytvářených atom po atomu pomocí různých verzí klasické molekulární dynamiky
Authors: Hantová, Kamila
Advisor: Houška Jiří, Doc. Ing. Ph.D.
Referee: Novák Petr, Ing. Ph.D.
Issue Date: 2021
Publisher: Západočeská univerzita v Plzni
Document type: diplomová práce
URI: http://hdl.handle.net/11025/43688
Keywords: buckinghamův potenciál;reaxff potenciál;zno;znox;zinek;kyslík;wurtzite;energie;teplota;pomalé atomy;amorfní;krystalický
Keywords in different language: buckingham potential;reaxff potential;zno;znox;zinc;oxygen;wurtzite;energy;temperature;slow atoms;amorphous;crystalline
Abstract: Tato práce se věnuje modelování tenkých vrstev ZnO a ZnOx pomocí různých druhů klasické molekulární dynamiky. Interakce mezi atomy je popsána pomocí Buckinghamova potenciálu a reactive force field potenciálu, které byly nalezeny v literatuře. Dále byla ověřena jejich fyzikální správnost. Simulace probíhaly za využití software LAMMPS. Pro zadání jednotlivých simulací byly nalezeny parametry pro nanášení atomů na substrát. Na krystalický substrát ZnO přilétaly jednotlivé atomy zinku a kyslíku. Byly sledovány vlastnosti vzniklých tenkých vrstev v závislosti na energii přilétajících atomů, množství pomalých atomů, teplotě simulačního prostředí a poměru množství atomů kyslíku a zinku. Ukázalo se, že jednotlivé parametry mají vliv na pórovitost a krystalitu vzniklých vrstev. V případě rozdílného množství atomů zinku a kyslíku, mělo množství kyslíku vliv na rychlost růstu a amorfnost tenké vrstvy.
Abstract in different language: This thesis focused on modeling of ZnO and ZnOx thin films using various types of classical molecular dynamics. The interaction between atoms is described by the empirical potential and reactive force field potential, which were found in the literature, and their physical accuracy was verified. The simulations were performed in LAMMPS software. For each simulation, the deposition parametres were found. Individual zinc and oxygen atoms were deposited on the crystalline ZnO substrate. The properties of the created thin films were observed dependent on the energy of the deposited atoms, the amount of slow atoms, the temperature of simulated area and the ratio of the number of oxygen and zinc atoms. The simulations results imply that the individual parameters have an affect to the porosity and crystallinity of the resulting layers. In the case of different amounts of zinc and oxygen atoms, the amount of oxygen affects the growth rate and amorphousness of the thin film.
Rights: Plný text práce je přístupný bez omezení.
Appears in Collections:Diplomové práce / Theses (KFY)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
DP_hantova.pdfPlný text práce40,06 MBAdobe PDFView/Open
DP_Hantova_vedouci.pdfPosudek vedoucího práce439,55 kBAdobe PDFView/Open
DP_Hantova_oponent.pdfPosudek oponenta práce498,94 kBAdobe PDFView/Open
DP_Hantova_obhajoba.pdfPrůběh obhajoby práce242,83 kBAdobe PDFView/Open


Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11025/43688

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.